Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI020N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI020N06NAKSA1
IPI020N06NAKSA1 Hakkında
IPI020N06NAKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 29A (Ta) / 120A (Tc) sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 2mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve 214W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, enerji yönetimi ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7800 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 143µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok