Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPF10N03LA G

MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPF10N03LA

IPF10N03LA G Hakkında

IPF10N03LA G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltaj kapasitesi ile 30A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 10.4mΩ on-resistance ile verimli anahtarlama performansı sunarak ısı kaybını minimize eder. 52W maksimum güç dağıtabilir ve -55°C ile 175°C arası geniş sıcaklık aralığında çalışır. Endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu ürün üretim dışı (Obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1358 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok