Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPDQ60R010S7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 22-PowerBSOP Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPDQ60R010S7
IPDQ60R010S7XTMA1 Hakkında
IPDQ60R010S7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek güçlü N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PG-HDSOP-22 yüzey montaj paketi içinde sunulur. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlamah güç dönüştürücülerinde uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 318 nC @ 12 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11987 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 22-PowerBSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 694W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 50A, 12V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-22-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3.08mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok