Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPDQ60R010S7AXTMA1
AUTOMOTIVE PG-HDSOP-22
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 22-PowerBSOP Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPDQ60R010S7AXTMA1
IPDQ60R010S7AXTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPDQ60R010S7AXTMA1, N-Channel MOSFET transistörü olup 600V yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 50A sürekli dren akımı kapasitesi ve 10mOhm düşük RDS(on) direnci ile enerji dönüştürme devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. Automotive sınıflandırması ile araç elektronik sistemlerine, endüstriyel sürücülere ve yenilenebilir enerji sistemlerine uygun olacak şekilde tasarlanmıştır. PG-HDSOP-22 yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımına olanak tanır. -40°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 318 nC @ 12 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11987 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 22-PowerBSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 694W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 50A, 12V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-22-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3.08mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok