Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPDH4N03LAG
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPDH4N03LAG
IPDH4N03LAG Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPDH4N03LAG, 25V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (4.2mΩ @ 60A, 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 26nC gate yükü ve 3200pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç yönetimi, motor denetimi, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Bileşen ürün yaşam döngüsünde Obsolete (kullanımdan kaldırılmış) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok