Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPDD60R170CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPDD60R170CFD7X
IPDD60R170CFD7XTMA1 Hakkında
IPDD60R170CFD7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajında 19A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 170mΩ on-state direnci (Rds On) ile güç uygulamalarında verimli çalışır. 10-PowerSOP Surface Mount paketinde sunulur. IGBT driver, DC-DC konvertör, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılan yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 137W maksimum güç dağıtabilir. Gate charge 23nC olup hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1016 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 137W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok