Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPDD60R150G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPDD60R150G7
IPDD60R150G7XTMA1 Hakkında
IPDD60R150G7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 16A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması işlevini gerçekleştirir. 150mΩ maksimum Rds(On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. HDSOP-10 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, enerji yönetimi sistemleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında ve maksimum 95W güç tüketiminde çalışabilir. 23nC gate charge ve 902pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama gereksinimlerine uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 902 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 95W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok