Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPDD60R125G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPDD60R125G7
IPDD60R125G7XTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPDD60R125G7XTMA1, N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10-PowerSOP yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, anahtarlama uygulamaları, adaptörler, solar inverterler ve endüstriyel güç dönüştürücülerinde yaygın kullanım alanı bulunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 120W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 6.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok