Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPDD60R125CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10

Paket/Kılıf
10-PowerSOP Module
Seri / Aile Numarası
IPDD60R125CFD7

IPDD60R125CFD7XTMA1 Hakkında

IPDD60R125CFD7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 27A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 125mOhm on-state direnç (Rds(on)) ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. 10-PowerSOP paket tipi ile yüksek ısı dağıtımı sağlar. Kapı yükü 31nC ve giriş kapasitanı 1329pF parametreleri ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 176W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. DC-DC konvertörler, motor sürücüler, güç anahtarı uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1329 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 10-PowerSOP Module
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package PG-HDSOP-10-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 340µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok