Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPDD60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 31A HDSOP-10
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPDD60R105CFD7XTMA1
IPDD60R105CFD7XTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPDD60R105CFD7XTMA1, 600V ve 31A sürekli dren akımı kapasitesiyle çalışan N-kanal MOSFET transistördür. HDSOP-10 surface mount paketi ile sağlanan bu bileşen, yüksek voltaj güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 105mOhm on-state direnç (Rds On), düşük güç kaybı sağlayarak anahtarlama devrelerinde verimli çalışmayı destekler. Gate charge 36nC olup, hızlı açılıp kapanma özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında 198W güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. SMPS, motor kontrol, UPS sistemleri ve endüstriyel güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1504 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 198W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 390µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok