Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPDD60R102G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A HDSOP-10
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPDD60R102G7
IPDD60R102G7XTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPDD60R102G7XTMA1, 600V dayanıklı N-Channel MOSFET transistördür. 23A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 102mΩ maksimum on-direnç ve 34nC gate charge değerleriyle verimli şalama özelliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. PG-HDSOP-10-1 paketinde tedarik edilen bu bileşen, AC/DC dönüştürücüler, DC/DC konvertörler, indüktif yükler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V drive voltage ile düşük kontrol gücü gerektiren tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1320 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 102mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 390µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok