Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPDD60R090CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPDD60R090CFD7
IPDD60R090CFD7XTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPDD60R090CFD7XTMA1, 600V dayanım gerilimi ve 33A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-kanal MOSFET transistördür. HDSOP-10 surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 90mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen komponentin maksimum güç tüketimi 227W'tır. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. Gate charge değeri 42nC olup, 4.5V eşik voltajı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1747 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 470µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok