Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPDD60R075CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10

Paket/Kılıf
10-PowerSOP Module
Seri / Aile Numarası
IPDD60R075CFD7XTMA1

IPDD60R075CFD7XTMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPDD60R075CFD7XTMA1, 600V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET transistörüdür. 40A sürekli dren akımı kapasitesi ve 75mOhm on-state direnci ile güç elektronik devrelerinde anahtarlama işlevini gerçekleştirir. HDSOP-10 surface mount paketlemesi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyum sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarında, AC/DC konvertörlerde, motorların denetim devreleri ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. Gate charge kontrolü 51nC ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2102 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 10-PowerSOP Module
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 266W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 11.4A, 10V
Supplier Device Package PG-HDSOP-10-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 570µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok