Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPDD60R055CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPDD60R055CFD7X
IPDD60R055CFD7XTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPDD60R055CFD7XTMA1, 600V drain-source voltaj sınıflamasında çalışan N-channel power MOSFET transistördür. 52A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 55mOhm on-state direnci ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 10-PowerSOP paketinde sunulan bu bileşen, 329W maksimum güç dağılımı sağlar. Anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır ve 4.5V eşik voltajına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2724 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 329W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 15.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 760µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok