Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPDD60R045CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 10-PowerSOP Module
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPDD60R045CFD7XTMA1
IPDD60R045CFD7XTMA1 Hakkında
IPDD60R045CFD7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 61A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, inverter ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 45mΩ maksimum açık-devre direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 10-PowerSOP pakette sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 379W güç dağıtabilir. Anahtarlama hızı ve verim gerektiren endüstriyel elektronik sistemlerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3194 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 10-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 379W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-10-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok