Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD95R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD95R750P7
IPD95R750P7ATMA1 Hakkında
IPD95R750P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 950V drain-source voltajı ve 9A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 750mΩ maksimum RDS(on) direncine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Güç kaynakları, inverterler, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılan yüksek voltaj anahtarlama transistörü olarak tercih edilir. Surface mount montajına uygun yapısı ile kompakt PCB tasarımları mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 712 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 73W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok