Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD95R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD95R450P7
IPD95R450P7ATMA1 Hakkında
IPD95R450P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 950V drain-source gerilimi ve 14A sürekli drenaj akımı özelliği ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, anahtarlama devre tasarımları, enerji yönetimi sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yer alır. 10mΩ'luk düşük RDS(on) değeri ile verimli performans sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir ve maksimum 104W güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1053 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 360µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok