Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD95R2K0P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 4A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD95R2K0P7ATMA1
IPD95R2K0P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD95R2K0P7ATMA1, 950V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. Gate charge 10nC @ 10V ve 330pF input kapasitansı özellikleriyle hızlı komütasyon gerçekleştir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri ve switched-mode güç kaynakları (SMPS) gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok