Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD95R1K2P7ATMA1
IPD95R1K2P7ATMA1 Hakkında
IPD95R1K2P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 950V drain-source gerilim derecelendirmesi ve 6A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürme gerilimiyle çalışır ve 1.2Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor denetleyicileri ve yalıtılmış SMPS devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. 52W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 478 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok