Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD90R1K2C3BTMA1
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD90R1K2C3
IPD90R1K2C3BTMA1 Hakkında
IPD90R1K2C3BTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltaj N-channel MOSFET'tir. 900V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 5.1A sürekli drenaj akımı ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve doğrultucu devrelerinde, invertör tasarımlarında ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını sınırlandırır. 28nC gate charge ve 710pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlamaya olanak tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 83W güç disipasyon kapasitesi sunar. Ürün discontinued statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 710 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 310µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok