Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD90P04P4L04ATMA2
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD90P04P4L04
IPD90P04P4L04ATMA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD90P04P4L04ATMA2, 40V drain-source voltaj kapasitesine ve 90A sürekli drenaj akımına sahip bir P-Channel Power MOSFET'tir. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketle sunulan bu transistör, 4.3mΩ'luk düşük RDS(on) değeri sayesinde güç uygulamalarında düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponent, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve inverter uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum güç yayılımı kapasitesi ve hızlı komütasyon özellikleri ile batarya yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 176 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok