Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD90P04P4L04ATMA1

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD90P04P4L04

IPD90P04P4L04ATMA1 Hakkında

IPD90P04P4L04ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Vdss ile 90A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olup, düşük RDS(on) değeri (4.3mΩ @ 90A, 10V) sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında yüksek verim sağlar. TO-252-3 (DPak) paket tipinde sunulan komponent, -55°C ~ 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük gate charge (176 nC) hızlı anahtarlama işlemini destekler. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda kullanıma uygundur. Part Status: Not For New Designs.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11570 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-313
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok