Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD90P04P405ATMA2

MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD90P04P405

IPD90P04P405ATMA2 Hakkında

IPD90P04P405ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.7mOhm RDS(on) değeri ile düşük açık direnç özelliğine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama, güç dönüştürme ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 125W maksimum güç kayıpları tolerans dahilindedir ve yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren tasarımlarda kullanımı uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-313
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok