Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD90P03P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD90P03P4L04
IPD90P03P4L04ATMA1 Hakkında
IPD90P03P4L04ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.1mΩ drain-source direnci (Rds On) düşük enerji kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, batarya yönetim sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç anahtarlama devrelerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 137W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 253µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok