Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD90N10S406ATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD90N10S406ATMA1
IPD90N10S406ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD90N10S406ATMA1, N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 6.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde Surface Mount teknolojisi ile tasarlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konverterler ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 68nC maksimum gate yükü özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4870 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok