Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD90N06S407ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD90N06S407ATMA1
IPD90N06S407ATMA1 Hakkında
IPD90N06S407ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 90A sürekli drain akımı özellikleri ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 6.9mOhm on-state direnci düşük ısıl kayıplar sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bileşen, güç kaynakları, motor denetleyicileri, LED sürücüleri ve anahtarlama kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan ürün, 79W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürücü voltajında optimize edilmiş özellikleri ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok