Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD90N06S405ATMA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD90N06S405

IPD90N06S405ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPD90N06S405ATMA1, 60V drain-source gerilimi ve 90A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu transistör, 5.1mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarında etkin çalışır. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında işletilmesine olanak veren bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaya uygundur. 81nC gate charge ve 6500pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama gerçekleştirilebilir. Ürün Digi-Key'de üretim durdurulmuştur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Market
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 60µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok