Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD90N06S404ATMA2

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD90N06S404

IPD90N06S404ATMA2 Hakkında

IPD90N06S404ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 90A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 3.8mΩ düşük on-state direnci ile güç dönüştürme uygulamalarında verimli çalışma sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, switch-mode güç kaynakları (SMPS), motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 150W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve ±20V maksimum gate gerilimi aralığına sahiptir. Surface mount teknolojisi ile yapılan bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok