Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD90N06S4-07ATMA2
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD90N06S4
IPD90N06S4-07ATMA2 Hakkında
IPD90N06S4-07ATMA2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 90A sürekli drenaj akımı ve 60V drain-source gerilim kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 6.9mOhm düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 79W maksimum güç tüketimi kapasitesi, -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında etkindir. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulur. Uygulamalar arasında güç kaynakları, motor kontrol, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler yer alır. 10V kapı gerilimi ile standart kontrol devresi uyumluluğu sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok