Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD90N04S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD90N04S4L04
IPD90N04S4L04ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPD90N04S4L04ATMA1, 40V drain-source gerilimi ile tasarlanan N-Channel MOSFET transistördür. 90A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 3.8mΩ on-dirençi (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulur. Gate threshold gerilimi 2.2V'tur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maksimum 71W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. DC-DC dönüştürücüleri, motor kontrolü, güç anahtarlaması ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4690 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 35µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok