Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD90N04S404ATMA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD90N04S404A

IPD90N04S404ATMA1 Hakkında

IPD90N04S404ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ile 90A sürekli dren akımına (Tc) sahiptir. 4.1mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, LED uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. 71W maksimum güç kaybı kapasitesi vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-313
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok