Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD90N04S40-4ATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD90N04S40
IPD90N04S40-4ATMA1 Hakkında
IPD90N04S40-4ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ile 90A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük 4.1mΩ on-direnci (RDS(on)) karakteristiğine sahiptir. Metal Oxide teknolojisine dayanan transistör, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 175°C arası) çalışabilir. TO-252-3 (DPak) paket tipinde sunulan bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V drive voltajında optimize edilmiş yapısı ile hızlı anahtarlama ve verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok