Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD90N04S304ATMA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD90N04S304

IPD90N04S304ATMA1 Hakkında

IPD90N04S304ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ile 90A sürekli drain akımı kabiliyetine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, düşük RDS(on) değeri (3.6mΩ @ 80A, 10V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Surface mount teknolojisi ile PCB'ye doğrudan montajlanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5200 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-11
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok