Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD900P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD900P06N
IPD900P06NMATMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPD900P06NMATMA1, 60V drain-source gerilimi ve 16.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmış P-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 90mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 63W maksimum güç disipasyonuna dayanıklıdır. Gate charge değeri 27nC, input capacitance ise 1100pF'dir. Endüstriyel anahtarlama uygulamaları, DC-DC converterler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Surface mount montajı için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 16.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 710µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok