Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPD85P04P4L06ATMA2

MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
IPD85P04P4L06ATMA2

IPD85P04P4L06ATMA2 Hakkında

IPD85P04P4L06ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ile 85A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 6.4mΩ maksimum on-resistance değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Motor kontrol, güç yönetimi devreleri, solenoid sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 104nC gate charge ve 6580pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6580 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 85A, 10V
Supplier Device Package PG-TO252-3-313
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +5V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok