Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD85P04P4L06ATMA1
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD85P04P4L06ATMA1
IPD85P04P4L06ATMA1 Hakkında
IPD85P04P4L06ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 85A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6.4mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) pakajında surface mount olarak monte edilir. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Gate charge'ı 104nC olup, 88W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir. DC/DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Not: Üretici tarafından yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6580 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 85A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok