Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD85P04P407ATMA2
MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD85P04P407
IPD85P04P407ATMA2 Hakkında
IPD85P04P407ATMA2, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 85A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 7.3mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) paketlemesi yüzeye monte (SMD) uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında çeşitli endüstriyel ve tüketici ürünlerinde uygulanabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç dağıtım sistemleri ve motorlu sistemlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6085 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 85A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok