Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R900P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R900P7
IPD80R900P7ATMA1 Hakkında
IPD80R900P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V dren-kaynak voltajı ve 6A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. 10V gate sürücü voltajında 900mΩ maksimum RDS(on) direncine sahiptir. Gate yükü 15nC olup, giriş kapasitansi 500V'de 350pF'dir. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. 45W maksimum güç tüketimi ile yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel konvertörlerde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok