Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R600P7ATMA1
IPD80R600P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD80R600P7ATMA1, 800V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 10V gate sürme geriliminde 600mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, elektrik güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 60W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile tasarlanan bileşen, ±20V maksimum gate gerilimi ile korunur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok