Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R4K5P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R4K5P7ATMA1
IPD80R4K5P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD80R4K5P7ATMA1, 800V drain-source voltaj ile çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi kullanılan bu bileşen, 1.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olup TO-252 (DPak) paketinde sunulmaktadır. 4.5Ω maksimum on-state direnci (10V gate voltajında) ve düşük 4nC gate charge değeri sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Geniş işletme sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) ve 13W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlı güç kaynakları ve motor sürücü uygulamalarında kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 80 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 13W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 400mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok