Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R450P7ATMA1
IPD80R450P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD80R450P7ATMA1, 800V super junction N-channel MOSFET transistörüdür. 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-252 DPak paket formatında sunulan transistör, düşük RDS(on) değeri (450mOhm @ 4.5A, 10V) sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ve yüksek voltaj toleransı ile AC/DC konvertörleri, switched-mode power supplies (SMPS), motor sürücüleri ve indüktif yük anahtarlamalarında tercih edilir. Gate charge karakteristiği düşük olduğundan hızlı anahtarlama için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 770 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 73W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 220µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok