Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R3K3P7ATMA1
IPD80R3K3P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD80R3K3P7ATMA1, 800V drain-source geriliminde çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 1.9A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulmaktadır. 3.3Ω maksimum kapı-kaynak direnci (Rds On) ve 10V gate drive voltajında yüksek hız anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem yapar. 5.8nC gate charge ve 120pF input capacitance değerleriyle güç kaynakları, motor sürücüleri, LED aydınlatma ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 18W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 18W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 590mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok