Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R2K8CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R2K8CEB
IPD80R2K8CEBTMA1 Hakkında
IPD80R2K8CEBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 1.9A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 2.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, güç kaynağı uygulamalarında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığına sahiptir. Bileşen Digi-Key tarafından kullanımdan kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok