Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R2K7C3AATMA1
MOSFET N-CH TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R2K7C3
IPD80R2K7C3AATMA1 Hakkında
IPD80R2K7C3AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V Drain-Source gerilim derecelendirmesi ve 2A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, güç kaynağı devrelerinde, motor sürücülerinde ve indüktif yüklerin kontrolünde kullanılır. 2.7Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge 1.5nC ve input capacitance 290pF parametreleri hızlı anahtarlamayı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok