Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R2K4P7
IPD80R2K4P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD80R2K4P7ATMA1, 800V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 2.4Ω maksimum kanal direncine (RdsOn) sahiptir. 10V gate sürüş voltajında çalışan cihaz, -55°C ile +150°C arasında geniş sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 7.5nC gate charge ve 150pF input kapasitansı değerleri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, LED sürücüleri, AC/DC adaptörleri ve yüksek voltaj anahtar uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 22W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok