Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R280P7
IPD80R280P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD80R280P7ATMA1, 800V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi kullanılarak üretilen bu bileşen, 17A sürekli dren akımı kapasitesine ve 280mΩ maksimum on-direnci özelliğine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket tipi ile kompakt uygulamalar için uygundur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlama güç kaynakları, güç yönetimi devrelerinde ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. ±20V gate voltajı toleransı ve 3.5V threshold voltajı ile kontrol devreleriyle uyumlu çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 101W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 7.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 360µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok