Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R1K4P7
IPD80R1K4P7ATMA1 Hakkında
IPD80R1K4P7ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 800V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Super Junction teknolojisi ile düşük on-dirençten (Rds On: 1.4Ω @ 1.4A, 10V) ve hızlı anahtarlama özelliklerinden faydalanır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynağı devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 32W maksimum güç kaybı kapasitesi ile güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok