Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R1K4CE
IPD80R1K4CEBTMA1 Hakkında
IPD80R1K4CEBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V Drain-Source gerilimi ve 3.9A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 1.4Ω maksimum Ron değeri ile güç kaybını minimize eder. TO-252-3 (DPak) paket tipinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, adaptörler ve sürücü devreleri gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır, 63W güç tüketim kapasitesine sahiptir. 23nC gate charge değeri hızlı anahtarlama için gerekli sürücü devresi tasarımını kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok