Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R1K4CEATMA1
IPD80R1K4CEATMA1 Hakkında
IPD80R1K4CEATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 3.9A sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu FET, düşük RDS(on) değeri (1.4Ω @ 2.3A, 10V) sayesinde güç kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılan dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynaklarında tercih edilir. 23nC maksimum gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok