Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD80R1K2P7
IPD80R1K2P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD80R1K2P7ATMA1, 800V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bir N-Channel MOSFET transistördür. 4.5A drain akımı, 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ve 37W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile sunulur. TO-252-3 (DPak) paketinde monte edilen bu komponent, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, inverterler ve yüksek voltaj dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. ±20V gate voltajı aralığında çalışabilir ve -55°C ile 150°C arasında sıcaklık ortamlarına uyumludur. 11nC gate yükü ve düşük input kapasitanı sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok